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2024年度
[ 学会発表 ]1. 堀内颯介,福永博生, 島袋聞多, 矢野裕司, 染谷満,平井悠久, 渡部平司,梅田享英
“Pチャネル4H-SiC MOSFETsでのスピン依存チャージポンピング分光"
第85回応用物理学会秋季学術講演会,朱鷺メッセ,2024年9月16~20日
2. 島袋聞多,堀内颯介, 曽弘字, 染谷満,平井悠久, 渡部平司,西谷侑将, 松下雄一郎, 梅田享英
“p チャネル 4H-SiC MOSFET の界面欠陥の電流検出 ESR 分光"
第85回応用物理学会秋季学術講演会,朱鷺メッセ,2024年9月16~20日
3. 堀内颯介,島袋聞多, 春山盛善, 牧野俊晴, 加藤宙光, 岡本光央, 原田信介, 梅田享英
“4H SiC MOSFETの単一光子源に対する光検出磁気共鳴(ODMR)の試み"
第85回応用物理学会秋季学術講演会,朱鷺メッセ,2024年9月16~20日
4. S. Horiuchi, H. Fukunaga, B. Shimabukuro, H. Yano, M. Sometani, H. Hirai, H. Watanabe and T. Umeda
"Spin-dependent-charge-pumping spectroscopy on p-channel 4H-SiC MOSFETs"
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2024, Sep.29-Oct.4,Raleigh, USA
5. B. Shimabukuro, S. Horiuchi, H. Zeng, M. Sometani, H. Hirai, H. Watanabe, Y. Nishiya, Y. Matsushita and T. Umeda
"Carbon-related interface defects in p-channel 4H-SiC MOSFETs"
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2024, Sep.29-Oct.4,Raleigh, USA
2023年度
[ 学会発表 ]1. R. Kondo, H. Zeng, M. Sometani, H. Hirai, H. Watanabe, and T. Umeda
"Comparison of polar-face and non-polar face 4H-SiC/SiO2 interfaces revealed by magnetic resonance and related techniques"
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2023, Sep. 17~22, Sorrento, Italy
2022年度
[ 学会発表 ]1. 近藤蓮,染谷満,渡部平司,梅田享英
“4H-SiC(11-20)面(a面)MOS界面欠陥の電子スピン共鳴分光(ESR/EDMR)評価"
応用物理学会春季学術講演会(70回),上智大学,2023年3月15~18日
2021年度
[ 論文投稿 ]1. Abe Y, Chaen A, Sometani M, Harada S, Yamazaki Y, Ohshima T,Umeda T
“Electrical detection of T V2a -type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs"
Applied Physics Letters 120, 064001 (7 pages) (2022).
2020年度
[ 論文投稿 ]1. E. Higa, M. Sometani, H. Hirai, H. Yano, S. Harada, and T. Umeda
“Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face
4H-SiC/SiO2 interfaces”
Applied Physics Letters 116, 171602 (2020).
2019年度
[ 学会発表 ]
1. 成ケ澤雅人,比嘉栄斗,染谷満,畠山哲夫,原田信介,梅田享英
“C面窒化4H-SiC/SiO2界面の電流検出型電子スピン共鳴分光”
応用物理学会秋季学術講演会(第80回),北海道大学,2019年9月18日~9月21日
2. 真栄力,加藤宙光,牧野敏晴,山崎聡,小泉聡,梅田享英
“ダイヤモンドのリンドナーの電子スピン共鳴検出と応力の関係”
応用物理学会秋季学術講演会(第80回),北海道大学,2019年9月18日~9月21日
3. Y. Abe, T. Umeda, M. Okamoto, S. Harada, Y. Yamazaki and T. Ohshima
“The effects of γ-ray irradiation on optical properties of single photon sources in 4H-SiC MOSFET”
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, Sep. 29-Oct. 4, Kyoto, Japan.
4. E. Higa, M. Sometani, S. Harada, H. Yano, and T. Umeda
“Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces”
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019, Sep. 29-Oct. 4, Kyoto, Japan.
5. 比嘉栄斗,染谷満,原田信介,矢野裕司,梅田享英
“4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価”
先進パワー半導体分科会第6回講演会,広島国際会議場,2019年12月3日~12月4日
1. C. Shinei, H. Kato, H. Watanabe, T. Makino, S. Yamasaki, S. Koizumi, and T. Umeda
“Nearly degenerate ground state of phosphorus donor in diamond”
Physical Review Materials 4, 024603 (2020).
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